Samsung, una delle leader nello sviluppo e ricerca nel campo delle memorie, è stata la prima a mostrare al pubblico una nuova soluzione, sostitutiva alle performanti memorie DDR3: si tratta di memorie DDR4, ultimo risultato dei loro centri di sviluppo, costruite con tecnologia a 30 nanometri. Il primo prodotto presentato al pubblico ed alla stampa, è stato un banco da 4GB, che raggiunge una larghezza di banda di 2,13 Gbps, contro 1,6 Gbps delle DDR3. Sono state annunciate altre due caratteristiche di prim'ordine: la prima è che sarà possibile raggiungere una larghezza di banda di 3,2 Gbps (cioè il doppio della velocità standard), ed i consumi ridotti del 40%, dove sicuramente troveranno sollievo le batterie dei notebook. Una prima stima della messa in produzione del prodotto, è stata indicata per la seconda metà del 2011.
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